IRFR320 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFR320 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFR320

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=3.1A)

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IRFR320 Détails du produit

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

FEATURES
• Dynamic dV/dt rating
• Repetitive avalanche rated
• Surface mount (IRFR320)
• Straight lead (IRFU320)
• Available in tape and reel
• Fast switching
• Ease of paralleling

Numéro de pièce similaire - IRFR320

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	IRFR320	55Kb / 7P	3.1A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFETs July 1999
Vishay Siliconix	IRFR320	1Mb / 8P	Power MOSFET 21-Jul-08
Kersemi Electronic Co.,...	IRFR320	3Mb / 7P	Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IRFR320	332Kb / 2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	IRFR320	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

Description similaire - IRFR320

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC740	221Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=10A)
	IRFBG30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
	IRFD320	478Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A)
	IRFI720G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=2.6A)
	IRFI740G	169Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.4A)
	IRFI740GLC	221Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.55ohm, Id=5.7A)
	IRFI830G	170Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=1.5ohm, Id=3.1A)
	IRFP350LC	333Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.30ohm, Id=16A)
	IRFPG30	168Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=1000V, Rds(on)=5.0ohm, Id=3.1A)
	IRFR9110	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-3.1A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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