IRFP27N60K Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFP27N60K Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)typ.=180mohm, Id=27A)

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IRFP27N60K Détails du produit

HEXFET® Power MOSFET

Benefits

Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement

Improved Gate, Avalanche and Dynamic dv/dt Ruggedness

Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

Enhanced Body Diode dv/dt Capability

Applications

Hard Switching Primary or PFC Switch

Switch Mode Power Supply (SMPS)

Uninterruptible Power Supply

High Speed Power Switching

Motor Drive

Numéro de pièce similaire - IRFP27N60K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFP27N60K	156Kb / 8P	Power MOSFET S-Pending-Rev. B, 12-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFP27N60K	191Kb / 9P	Power MOSFET Rev. C, 21-Mar-11
Inchange Semiconductor ...	IRFP27N60K	445Kb / 2P	iscN-Channel MOSFET Transistor
Vishay Siliconix	IRFP27N60K	214Kb / 11P	Power MOSFET 09-Jul-2021
Vishay Siliconix	IRFP27N60K	211Kb / 11P	Power MOSFET 01-Jan-2022

Description similaire - IRFP27N60K

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF3315	124Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.07ohm, Id=27A)
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	IRFB18N50K	83Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=0.26ohm, Id=27A)
	IRFP32N50K	94Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.135ohm, Id=32A)
	IRFP17N50L	91Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.28ohm, Id=16A)
	IRFPS43N50K	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.078ohm, Id=47A)
	IRFPS40N50L	111Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)typ.=0.087ohm, Id=46A)
	IRFP26N60LPBF	206Kb / 9P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 600V , RDS(on)typ. = 210m廓 , Trr typ. = 170ns , ID = 26A )
	C50IRF	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=0.60ohm, Id=11A)
	IRFBC20	171Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=2.2A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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