IRFP140N Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFP140N Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFP140N

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0,052ohm, Id=33A)

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IRFP140N Détails du produit

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve the lowest possible on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient device for use in a wide variety of applications.
The TO-247 package is preferred for commercial-industrial applications where higher power levels preclude the use of TO-220 devices. The TO-247 is similar but superior to the earlier TO-218 package because of its isolated mounting hole.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRFP140N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	IRFP140N	126Kb / 10P	33A, 100V, 0.040 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Inchange Semiconductor ...	IRFP140N	334Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRFP140NPBF	345Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
International Rectifier	IRFP140NPBF	353Kb / 9P	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY
VBsemi Electronics Co.,...	IRFP140NPBF	1Mb / 7P	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET

Description similaire - IRFP140N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRF540N	99Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRF540NS	125Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=44mohm, Id=33A)
	IRFB33N15D	139Kb / 11P	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)max=0.056ohm, Id=33A)
	IRFIZ46N	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.020ohm, Id=33A)
	IRFR1111	112Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.031ohm, Id=33A??
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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