IRFI620G Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRFI620G Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRFI620G

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.1A)

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IRFI620G Détails du produit

DESCRIPTION
Third Generation HEXFETs International Rectifier provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.
The TO-220 Fullpak eliminates the need for additional insulating hardware in commercial-industrial applications. The molding compound used provides a high isolation capability and a low thermal resistance between the tab and external heatsink. This isolation is equivalent to using a 100 micron mica barrier with standard TO-220 product. The Fullpak is mounted to a heatsink using a single clip or by a single screw fixing.

• Isolated Package
• High Voltage Isolation=2.5KVRMS
• Sink to Lead Creepage Dist.=4.8mm
• Dynamic dV/dt Rating
• Low Thermal Resistance

Numéro de pièce similaire - IRFI620G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	IRFI620G	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFI620G	271Kb / 10P	Power MOSFET 11-Oct-2021
International Rectifier	IRFI620GPBF	292Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFI620GPBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFI620GPBF	271Kb / 10P	Power MOSFET 11-Oct-2021

Description similaire - IRFI620G

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF9230	149Kb / 7P	TRANSISTORS P-CHANNEL(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
	IRF9630	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
	IRF9630S	179Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
	IRFBE30	167Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRFD220	175Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=0.80A)
	IRFI9630G	172Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-4.3A)
	IRFPE30	165Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)
	IRL620	452Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
	IRL620S	502Kb / 9P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=5.2A)
	IRLI620G	339Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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