IRF9953 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF9953 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRF9953

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.25ohm)

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IRF9953 Détails du produit

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.

● Generation V Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dual P-Channel MOSFET
● Surface Mount
● Very Low Gate Charge and Switching Losses
● Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRF9953

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF9953PBF	206Kb / 7P	HEXFET짰 Power MOSFET
	IRF9953PBF	212Kb / 7P	ULTRA LOW ON RESISTANCE
	IRF9953PBF	212Kb / 7P	ULTRA LOW ON RESISTANCE

Description similaire - IRF9953

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF5800	98Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.085ohm)
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	IRF7503	114Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.135ohm)
	IRF7603	113Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.035ohm)
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	IRF9410	114Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)
	IRF9956	107Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.10ohm)
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	SI4435DY	82Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.020ohm

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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