IRF9540 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF9540 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRF9540

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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Description	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)

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IRF9540 Détails du produit

Description
Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● P-Channel
● Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRF9540

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Samsung semiconductor	IRF9540	508Kb / 12P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Intersil Corporation	IRF9540	59Kb / 7P	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
Harris Corporation	IRF9540	424Kb / 7P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Samsung semiconductor	IRF9540	381Kb / 6P	P-CHANNEL POWER MOSFETS
Vishay Siliconix	IRF9540	1Mb / 8P	Power MOSFET Rev. A, 20-Jun-08

Description similaire - IRF9540

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFP9140N	142Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF9540NS	187Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
	IRF5NJ9540	117Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5Y9540CM	105Kb / 7P	POWER MOSFET P-CHANNEL(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-18A)
	IRF5EA1310	238Kb / 7P	POWER MOSFET N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=23A)
	IRF9540NSPBF	331Kb / 11P	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = 117m廓 , ID = -23A )
	IRFP360	164Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP254N	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=125mohm, Id=23A)
	IRFP360LC	343Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=0.20ohm, Id=23A)
	IRFP23N50L	104Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.190ohm, Id=23A)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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