IRF7607 Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF7607 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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No de pièce	IRF7607

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

Site Internet	http://www.irf.com

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Description	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)

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IRF7607 Détails du produit

Description
New trench HEXFET® power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The new Micro8™package has half the footprint area of the standard SO-8. This makes the Micro8 an ideal package for applications where printed circuit board space is at a premium. The low profile (<1.1mm) of the Micro8 will allow it to fit easily into extremely thin application environments such as portable electronics and PCMCIA cards.

● Trench Technology
● Ultra Low On-Resistance
● N-Channel MOSFET
● Very Small SOIC Package
● Low Profile (<1.1mm)
● Available in Tape & Reel

Numéro de pièce similaire - IRF7607

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRF7607PBF	144Kb / 8P	HEXFET Power MOSFET
	IRF7607PBF	149Kb / 8P	Ultra Low On-Resistance
	IRF7607PBF	149Kb / 8P	Ultra Low On-Resistance
	IRF7607TRPBF	149Kb / 8P	Trench Technology

Description similaire - IRF7607

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	IRF7530	83Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=0.030ohm)
	IRF7555	71Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.055ohm)
	IRF7604	134Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.09ohm)
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	IRF7750	110Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=-20V, Rds(on)=0.030ohm)
	IRF9410	114Kb / 7P	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.030ohm)

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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