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IRF720 Fiches technique (PDF) - International Rectifier

IRF720 Datasheet PDF - International Rectifier
No de pièce IRF720
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Taille du fichier   554.36 Kbytes
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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
Logo IRF - International Rectifier
Description TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF720 Datasheet (PDF)

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Fabricant  IRF [International Rectifier]
Site Internet  http://www.irf.com
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Description TRANSISTORS N-CHANNEL

IRF720 Fiches technique (HTML) - International Rectifier


IRF720 Détails du produit

400 Volt, 1.8 Ohm HEXFET TO-220AB Plastic Package

The HEXFET® technology is the key to International Rectifiers advanced line of power MOSFET transistor.

FEATURES:
■ Repetitive Avalanche Ratings
■ Dynamic dv/dt Ratings
■ Simple Drive Requirement
■ Ease of Paralleling




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À propos de International Rectifier


International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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