IRF530N Fiches technique(PDF) - International Rectifier

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IRF530N Fiches technique (PDF) - International Rectifier

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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Fabricant	IRF [International Rectifier]

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Description	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=90mohm, Id=17A)

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IRF530N Détails du produit

Description
Advanced HEXFET®Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The TO-220 package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 watts. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220 contribute to its wide acceptance throughout the industry.

● Advanced Process Technology
● Ultra Low On-Resistance
● Dynamic dv/dt Rating
● 175°C Operating Temperature
● Fast Switching
● Fully Avalanche Rated

Numéro de pièce similaire - IRF530N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	IRF530N	97Kb / 7P	N-channel TrenchMOS transistor August 1999 Rev 1.100
Intersil Corporation	IRF530N	125Kb / 10P	22A, 100V, 0.064 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 2000
Inchange Semiconductor ...	IRF530N	286Kb / 2P	N-Channel MOSFET Transistor
International Rectifier	IRF530NL	618Kb / 10P	HEXFET Power MOSFET
Kersemi Electronic Co.,...	IRF530NL	1Mb / 10P	Ultra Low On-Resistance

Description similaire - IRF530N

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRC540	222Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.077ohm, Id=28A)
	IRF1310N	96Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A)
	IRF3710S	184Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.025ohm, Id=57A)
	IRF520VS	129Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.165ohm, Id=9.6A)
	IRFRU024N	178Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.075ohm, Id=17A??
	IRFRU5410	215Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.205ohm, Id=-13A)
	IRFZ24N	123Kb / 8P	Power MOSFET (Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24NS	159Kb / 10P	Power MOSFET(Vdss=55V, Rds(on)=0.07ohm, Id=17A)
	IRFZ24V	200Kb / 8P	Power MOSFET(Vdss=60V, Rds(on)=60mohm, Id=17A)
	IRL530NSPBF	465Kb / 11P	HEXFET Power MOSFET ( VDSS=100V , RDS(on)=0.10廓 , ID=17A )

À propos de International Rectifier

International Rectifier (IR) était une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de gestion de l'énergie et de contrôle de l'énergie.
L'entreprise a été fondée en 1947 et a eu son siège social à El Segundo, en Californie.
L'IR a fourni une large gamme de produits, notamment des ICS de gestion de l'énergie, des MOSFET de puissance, des IGBT et d'autres produits de contrôle de l'énergie.
Les produits de l'entreprise ont été utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
L'IR était connue pour son expertise en gestion de l'énergie et de la technologie de contrôle et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
En 2014, l'IR a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de produits de gestion de l'énergie et de contrôle et d'autres solutions de semi-conducteurs.
La marque International Rectifier n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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