RFP2N20 Fiches technique(PDF)

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RFP2N20 Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

RFP2N20 Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	RFP2N20

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Taille du fichier	40.94 Kbytes

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	2A, 200V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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RFP2N20 Détails du produit

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA09289

Features
• 2A, 200V
• rDS(ON) = 3.500Ω

Numéro de pièce similaire - RFP2N20

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Inchange Semiconductor ...	RFP2N20	348Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Intersil Corporation	RFP2N20L	35Kb / 5P	2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N20L	92Kb / 2P	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET)
New Jersey Semi-Conduct...	RFP2N20L	92Kb / 2P	N-Channel Logic Level Power Field-Effect Transistors (L2 FET)

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Description similaire - RFP2N20

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	IRF610	55Kb / 7P	3.3A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET June 1999
	IRFD210	52Kb / 6P	0.6A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD220	51Kb / 6P	0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFF210	325Kb / 7P	2.2A, 200V, 1.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFF230	327Kb / 7P	5.5A, 200V, 0.400 Ohm, N-Channel Power MOSFET March 1999
	IRFPG40	46Kb / 6P	4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, N-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP2N20L	35Kb / 5P	2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP2P08	39Kb / 5P	-2A, -80V and -100V, 3.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1998
Fairchild Semiconductor	IRFD220	91Kb / 7P	0.8A, 200V, 0.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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