RFP12N10 Fiches technique(PDF)

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RFP12N10 Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

RFP12N10 Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	RFP12N10

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	12A, 80V and 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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RFP12N10 Détails du produit

These are N-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.
Formerly developmental type TA09594.

Features
• 12A, 80V and 100V
• rDS(ON) = 0.200Ω
• Related Literature
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount Components to PC Boards”

Numéro de pièce similaire - RFP12N10

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N10	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N10	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
Inchange Semiconductor ...	RFP12N10	371Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
Fairchild Semiconductor	RFP12N10L	361Kb / 6P	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET
Intersil Corporation	RFP12N10L	38Kb / 5P	12A, 100V, 0.200 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999

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Description similaire - RFP12N10

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	FRS130D	48Kb / 6P	12A, 100V, 0.195 Ohm, Rad Hard, N-Channel Power MOSFETs June 1998
	RFL1N08	30Kb / 4P	1A, 80V and 100V, 1.200 Ohm, N-Channel, Power MOSFETs September 1998
	RFM18N08	38Kb / 5P	18A, 80V and 100V, 0.100 Ohm, N-Channel Power MOSFETs September 1998
	RFP12P08	37Kb / 5P	12A, 80V and 100V, 0.300 Ohm, P-Channel Power MOSFETs June 1999
	RFP2N08	46Kb / 4P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs July 1998
	RFP6P08	310Kb / 5P	-6A, -80V and -100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFETs October 1999
Harris Corporation	RFP8P08	279Kb / 5P	-8A, -80V AND -100V, 0.400 Ohm, P-CHANNEL POWER MOSFETS
New Jersey Semi-Conduct...	RFP12N08	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFP2N08	93Kb / 2P	2A, 80V and 100V, 1.05 Ohm, N-Channel Power MOSFETs
	RFM12N08	99Kb / 2P	12A, 80Vand 100V, 0.200 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

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À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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