RFL2N06L Fiches technique(PDF) - Intersil Corporation

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RFL2N06L Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

RFL2N06L Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	RFL2N06L

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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2A, 60V, 0.950 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	2A, 60V, 0.950 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET

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RFL2N06L Détails du produit

The RFL2N06L N-channel enhancement mode silicon gate power field effect transistor is designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 2A, 50V and 60V
• rDS(ON) = 0.950Ω
• Design Optimized for 5V Gate Drives
• Can be Driven from QMOS, NMOS, TTL Circuits
• Compatible with Automotive Drive Requirements
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance
• Majority Carrier Device

Numéro de pièce similaire - RFL2N06L

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	RFL2N06	44Kb / 5P	2A, 50V and 60V, 0.95 Ohm, N-Channel Power MOSFETs January 1998

Description similaire - RFL2N06L

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Fairchild Semiconductor	HUF76407D3	234Kb / 10P	11A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
	HUF76407P3	209Kb / 10P	12A, 60V, 0.107 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
	HUF76409P3	207Kb / 10P	17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
	HUF76437P3	217Kb / 10P	64A, 60V, 0.017 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
	HUFA76409P3	207Kb / 10P	17A, 60V, 0.070 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET
Intersil Corporation	HUF76419D3	332Kb / 9P	20A, 60V, 0.043 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET October 1999
	HUF76423P3	359Kb / 9P	33A, 60V, 0.035 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFET October 1999
	RFP2N12L	35Kb / 5P	2A, 120V, 1.750 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET April 1999
	RFP2N20L	35Kb / 5P	2A, 200V, 3.500 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999
	RFW2N06RLE	41Kb / 5P	2A, 60V, 0.160 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFET July 1999

À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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