IRFD9120 Fiches technique(PDF)

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IRFD9120 Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

IRFD9120 Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	IRFD9120

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Description	1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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IRFD9120 Détails du produit

This advanced power MOSFET is designed, tested, and guaranteed to withstand a specified level of energy in the breakdown avalanche mode of operation. These are P-Channel enhancement mode silicon gate power field effect transistors designed for applications such as switching regulators, switching convertors, motor drivers, relay drivers and drivers for high power bipolar switching transistors requiring high speed and low gate drive power. These types can be operated directly from integrated circuits.

Features
• 1.0A, 100V
• rDS(ON) = 0.6Ω
• Single Pulse Avalanche Energy Rated
• SOA is Power Dissipation Limited
• Nanosecond Switching Speeds
• Linear Transfer Characteristics
• High Input Impedance

Numéro de pièce similaire - IRFD9120

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRFD9120	173Kb / 6P	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A)
Vishay Siliconix	IRFD9120	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08
Vishay Siliconix	IRFD9120	1,020Kb / 9P	Power MOSFET 30-Aug-2021
SYC Electronica	IRFD9120	128Kb / 6P	1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET
Vishay Siliconix	IRFD9120PBF	1Mb / 8P	Power MOSFET 16-Jun-08

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	IRF9140	59Kb / 7P	-19A, -100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9150	57Kb / 7P	-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET February 1999
	IRF9510	59Kb / 7P	3.0A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRF9520	57Kb / 7P	6A, 100V, 0.600 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFD9110	54Kb / 6P	0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	IRFF9120	59Kb / 7P	4A, 100V, 0.60 Ohm, P-Channel Power MOSFET June 1999
	IRFP9140	59Kb / 7P	19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
	RFP8P10	40Kb / 5P	8A, 100V, 0.400 Ohm, P-Channel Power MOSFET July 1999
New Jersey Semi-Conduct...	IRF9150	152Kb / 3P	-25A, -100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET

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À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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