HGTP3N60C3D Fiches technique(PDF) - Intersil Corporation

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HGTP3N60C3D Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

HGTP3N60C3D Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	HGTP3N60C3D

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Taille du fichier	273.87 Kbytes

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description

6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

HGTP3N60C3D Datasheet (PDF)

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No de pièce	HGTP3N60C3D

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes

HGTP3N60C3D Fiches technique (HTML) - Intersil Corporation

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HGTP3N60C3D Détails du produit

The HGTP3N60C3D, and HGT1S3N60C3DS are MOS gated high voltage switching devices combining the best features of MOSFETs and bipolar transistors. These devices have the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor. The much lower on-state voltage drop varies only moderately between 25oC and 150oC. The IGBT used is the development type TA49113. The diode used in anti-parallel with the IGBT is the development type TA49055.

Features
• 6A, 600V at TC = 25°C
• 600V Switching SOA Capability
• Typical Fall Time. . . . . . . . . . . . . . . . 130ns at TJ = 150°C
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Hyperfast Anti-Parallel Diode

Numéro de pièce similaire - HGTP3N60C3D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	327Kb / 7P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode

Description similaire - HGTP3N60C3D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	327Kb / 7P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Fairchild Semiconductor	HGTP7N60C3D	197Kb / 7P	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Intersil Corporation	HGTG30N60C3D	116Kb / 7P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes January 2000
	HGTP12N60C3D	99Kb / 7P	24A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes January 2000
	HGTP7N60C3D	176Kb / 7P	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes January 2000
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60C3D	144Kb / 8P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Fairchild Semiconductor	HGT1Y40N60B3D	132Kb / 9P	70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Harris Corporation	HGTP3N60C3D	394Kb / 11P	6A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode
Fairchild Semiconductor	HGT1S7N60C3DS9A	566Kb / 9P	14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
Fairchild Semiconductor	HGTG30N60C3D	299Kb / 9P	63A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes January 2009

À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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