HCTS30MS Fiches technique(PDF) - Intersil Corporation

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HCTS30MS Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

HCTS30MS Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	HCTS30MS

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Description	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate

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HCTS30MS Détails du produit

Description
The Intersil HCTS30MS is a Radiation Hardened 8-Input NAND Gate. A high on all input forces the output to a low state.
The HCTS30MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.

Features
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
• Total Dose 200K RAD (Si)
• SEP Effective LET No Upsets: >100 MEV-cm2/mg
• Single Event Upset (SEU) Immunity < 2 x 10-9 Errors/Bit-Day (Typ)
• Dose Rate Survivability: >1 x 1012 RAD (Si)/s
• Dose Rate Upset >1010 RAD (Si)/s 20ns Pulse
• Latch-Up Free Under Any Conditions
• Military Temperature Range: -55°C to +125°C
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
• LSTTL Input Compatibility
- VIL = 0.8V Max
- VIH = VCC/2 Min
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH

Numéro de pièce similaire - HCTS30MS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	HCTS30MS	391Kb / 9P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate August 1995

Description similaire - HCTS30MS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	ACS30MS	38Kb / 2P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate July 1999
Renesas Technology Corp	HCTS30MS	391Kb / 9P	Radiation Hardened 8-Input NAND Gate August 1995
Renesas Technology Corp	HCTS00MS	640Kb / 8P	Radiation Hardened Quad2-Input NAND Gate August 1995
Intersil Corporation	HCS10MS	181Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	ACS10MS	106Kb / 8P	Radiation Hardened Triple Three-Input NAND Gate April 1995
	ACTS00MS	85Kb / 8P	Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate April 1995
Texas Instruments	SN54AC00-SP	103Kb / 8P	[Old version datasheet] Radiation Hardened Quad 2 Input NAND Gate
Renesas Technology Corp	HCS00MS	363Kb / 8P	Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate August 1995
Intersil Corporation	ACS00MS	68Kb / 8P	Radiation Hardened Quad 2-Input NAND Gate April 1995
Intersil Corporation	ACTS10MS	112Kb / 8P	Radiation Hardened Triple Three-Input NAND Gate April 1995

À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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