HCTS11MS Fiches technique(PDF)

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HCTS11MS Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

HCTS11MS Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	HCTS11MS

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

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Description	Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate

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HCTS11MS Détails du produit

Description
The Intersil HCTS11MS is a Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate. A high on all inputs forces the output to a High state. The HCTS11MS utilizes advanced CMOS/SOS technology to achieve high-speed operation. This device is a member of radiation hardened, high-speed, CMOS/SOS Logic Family.
The HCTS11MS is supplied in a 14 lead Weld Seal Ceramic flatpack (K suffix) or a Weld Seal Ceramic Dual-In-Line Package (D suffix).

Features
• 3 Micron Radiation Hardened SOS CMOS
• Total Dose 200K or 1 Mega-RAD (Si)
• Dose Rate Upset >1010 RAD(Si)/s 20ns Pulse
• Latch-Up Free Under Any Conditions
• Military Temperature Range: -55°C to +125°C
• Significant Power Reduction Compared to LSTTL ICs
• DC Operating Voltage Range: 4.5V to 5.5V
• LSTTL Input Compatibility
- VIL = 0.8V Max.
- VIH = VCC/2 Min
• Input Current Levels Ii ≤ 5µA at VOL, VOH

Numéro de pièce similaire - HCTS11MS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	HCTS112D	180Kb / 10P	Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop September 1995
	HCTS112DMSR	180Kb / 10P	Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop September 1995
	HCTS112HMSR	180Kb / 10P	Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop September 1995
	HCTS112K	180Kb / 10P	Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop September 1995
	HCTS112KMSR	180Kb / 10P	Radiation Hardened Dual JK Flip-Flop September 1995

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Description similaire - HCTS11MS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	ACS27MS	38Kb / 2P	Radiation Hardened Triple 3-Input NOR Gate July 1999
	HCS10MS	181Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCS11MS	160Kb / 6P	Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate November 1994
	HCS27MS	180Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NOR Gate September 1995
	HCTS10MS	147Kb / 9P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCTS27MS	54Kb / 9P	Radiation Hardened Triple 3-Input NOR Gate September 1995
Renesas Technology Corp	HCS10MS	389Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NAND Gate September 1995
	HCS11MS	310Kb / 7P	Radiation Hardened Triple 3-Input AND Gate November 1994
	HCS27MS	386Kb / 8P	Radiation Hardened Triple 3-Input NOR Gate September 1995

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À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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