CDP1821CD3 Fiches technique(PDF)

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CDP1821CD3 Fiches technique (PDF) - Intersil Corporation

CDP1821CD3 Datasheet PDF - Intersil Corporation


No de pièce	CDP1821CD3

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Taille du fichier	32.65 Kbytes

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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High-Reliability CMOS 1024-Word x 1-Bit Static RAM

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Fabricant	INTERSIL [Intersil Corporation]

Site Internet	http://www.intersil.com/cda/home

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Description	High-Reliability CMOS 1024-Word x 1-Bit Static RAM

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CDP1821CD3 Détails du produit

Description
The CDP1821C/3 is a 1024-word x 1-bit CMOS silicon-on-sapphire (SOS), fully static, random-access memory designed for use in CDP1800 microprocessor systems. This device has a recommended operating voltage range of 4V to 6.5V

Features
• Static CMOS Silicon-On-Sapphire Circuitry CD4000-Series Compatible
• Compatible with CDP1800-Series Microprocessors at Maximum Speed
• Fast Access Time. . . . . . . . . . . 100ns Typ. at VDD = 5V
• Single Voltage Supply
• No Precharge or External Clocks Required
• Low Quiescent and Operating Power
• Separate Data Inputs and Outputs
• High Noise Immunity . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30% of VDD
• Memory Retention for Standby Battery Voltage Down to 2V at +25°C
• Latch-Up-Free Transient-Radiation Tolerance

Numéro de pièce similaire - CDP1821CD3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Intersil Corporation	CDP1822	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	45Kb / 8P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	27Kb / 5P	High-Reliability CMOS 256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
	CDP1822C	169Kb / 9P	256-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997

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	CDP1823C	28Kb / 6P	High-Reliability CMOS 128-Word x 8-Bit Static RAM March 1997
	MWS5114	29Kb / 7P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Hitachi Semiconductor	HM6267	327Kb / 7P	16384-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6147H	354Kb / 7P	4096-word x 1-bit High Speed CMOS Static RAM
	HM6148HLP	265Kb / 5P	1024-word x 4-bit High Speed Static CMOS RAM
Intersil Corporation	MWS5114	113Kb / 8P	1024-Word x 4-Bit LSI Static RAM March 1997
Toshiba Semiconductor	TC551402J	347Kb / 6P	4,194,304 WORD x 1 BIT/1,048,576 WORD x 4 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5561P	616Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM
	TC5562P	597Kb / 6P	65,536 WORD X 1 BIT CMOS STATIC RAM

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À propos de Intersil Corporation

Intersil Corporation était une société américaine de semi-conducteurs spécialisée dans la conception et la fabrication de circuits intégrés analogiques et de signaux mixtes à haute performance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et était connue pour son expertise en matière de gestion de l'alimentation, de conversion des données et de technologies de radiofréquence (RF).
Les produits d'Intersil ont été utilisés dans un large éventail d'applications telles que l'électronique grand public, l'industrie, les télécommunications et l'aérospatiale et la défense.
En 2016, Intersil a été acquis par Renesas Electronics Corporation, une société de semi-conducteurs japonaise.
La marque et la technologie Intersil continuent d'être développées et vendues dans le cadre du portefeuille de produits de Renesas.

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