GL7101 Fiches technique(PDF) - Hynix Semiconductor

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GL7101 Fiches technique (PDF) - Hynix Semiconductor

GL7101 Datasheet PDF - Hynix Semiconductor


No de pièce	GL7101

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Fabricant	HYNIX [Hynix Semiconductor]

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EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR

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Fabricant	HYNIX [Hynix Semiconductor]

Site Internet	http://www.skhynix.com/kor/main.do

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Description	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR

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GL7101 Détails du produit

Description
The GL7101 is designed for use in earth leakage circuit interrupters for operation directly off the AC Line in breakers.
It contains pre regulator, main regulator, after regulator, differential amplifier, level comparator, latch circuit. The input in the differential amplifier is connect to the secondary node of zero current transformer.
The level comparator generates high level when earth leakage current is greater than some level.

Feature
• Low Power consumption (PD = 5mW) 100V/ 200V
• 100V/200V Common Built-in Voltage Regulator
• High Gain Differential Amplifier
• High Input Sensitivity
• Minimum External Parts
• Large Surge Margin
• Wide Operating Temperature Range (TA= -30 to 85°C)
• High Noise Immunity

Numéro de pièce similaire - GL7101

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Sharp Corporation	GL710	36Kb / 2P	Infrared Emitting Diode

Description similaire - GL7101

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	M54124L	162Kb / 6P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54125L	146Kb / 6P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54133FP	119Kb / 12P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
Renesas Technology Corp	M54125L	262Kb / 11P	Earth Leakage Current Detector
Renesas Technology Corp	M54134FP	171Kb / 18P	Earth Leakage Current Detector
Unisonic Technologies	M54123L	211Kb / 9P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54134	222Kb / 7P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54133	189Kb / 8P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54134	239Kb / 7P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR
	M54134	273Kb / 7P	EARTH LEAKAGE CURRENT DETECTOR

À propos de Hynix Semiconductor

Hynix Semiconductor est une entreprise sud-coréenne spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de mémoire.
La société a été fondée en 1983 et a son siège à Icheon, en Corée du Sud.
Hynix est l'un des principaux producteurs mondiaux de DRAM (Dynamic Random Access Memory) et NAND Flash Memory, qui sont utilisés dans diverses applications telles que les systèmes informatiques, les appareils mobiles et les lecteurs à semi-conducteurs.
Hynix est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de mémoire et sa capacité à fournir des produits de mémoire de haute qualité et haute performance à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays du monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de mémoire personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de ses produits de mémoire, Hynix fournit également une gamme de produits et de solutions pour les marchés de l'automobile et des centres de données, tels que les produits System-on-a-Chip (SOC) et les produits de mémoire à large bande passante (HBM).

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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