ATF-45101 Fiches technique(PDF)

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ATF-45101 Fiches technique (PDF) - Agilent(Hewlett-Packard)

ATF-45101 Datasheet PDF - Agilent(Hewlett-Packard)


No de pièce	ATF-45101

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Fabricant	HP [Agilent(Hewlett-Packard)]

Site Internet	http://www.home.agilent.com

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2-8 GHz Medium Power Gallium Arsenide FET

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Fabricant	HP [Agilent(Hewlett-Packard)]

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Description	2-8 GHz Medium Power Gallium Arsenide FET

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ATF-45101 Détails du produit

Description
The ATF-45101 is a gallium arsenide Schottky-barrier-gate field effect transistor designed for medium power, linear amplification in the 2 to 8 GHz frequency range. This nominally 0.5 micron gate length GaAs FET is an interdigitated four-cell structure using airbridge interconnects between drain fingers. Total gate periphery is 2.5 millimeters. Proven gold based metallization systems and nitride passivation assure a rugged, reliable device.

Features
• High Output Power: 29.0 dBm Typical P 1 dB at 4 GHz
• High Gain at 1dB Compression: 10.0 dB Typical G 1 dBat 4 GHz
• High Power Efficiency: 38% Typical at 4 GHz
• Hermetic Metal-Ceramic Stripline Package

Numéro de pièce similaire - ATF-45101

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Agilent(Hewlett-Packard...	ATF-45171	43Kb / 3P	2-8 GHz Medium Power Gallium Arsenide FET

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