ATF-10100 Fiches technique(PDF)

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ATF-10100 Fiches technique (PDF) - Agilent(Hewlett-Packard)

ATF-10100 Datasheet PDF - Agilent(Hewlett-Packard)


No de pièce	ATF-10100

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Fabricant	HP [Agilent(Hewlett-Packard)]

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0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

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Description	0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

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ATF-10100 Détails du produit

Description
The ATF-10100 is a high performance gallium arsenide Schottky barrier-gate field effect transistor chip. Its premium noise figure makes this device appropriate for use in the first stage of low noise amplifiers operating in the 0.5-12␣ GHz frequency range.

Features
• Low Noise Figure: 0.5 dB Typical at 4 GHz
• Low Bias: VDS= 2 V, IDS = 25 mA
• High Associated Gain: 14.0 dB Typical at 4 GHz
• High Output Power: 21.0 dBm Typical P1 dB at 4 GHz

Numéro de pièce similaire - ATF-10100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Agilent(Hewlett-Packard...	ATF-10136	46Kb / 3P	0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET
	ATF-10136-STR	46Kb / 3P	0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET
	ATF-10136-TR1	46Kb / 3P	0.5-12 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET

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	ATF-13736	49Kb / 4P	2-16 GHz Low Noise Gallium Arsenide FET
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