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STPSC4H065B-TR Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STPSC4H065B-TR Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STPSC4H065B-TR
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC4H065B-TR Datasheet (PDF)

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No de pièce STPSC4H065B-TR
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
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Description 650 V power Schottky silicon carbide diode

STPSC4H065B-TR Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STPSC4H065B-TR Détails du produit

Description
The SiC diode is an ultrahigh performance power Schottky diode. It is manufactured using a silicon carbide substrate. The wide band gap material allows the design of a Schottky diode structure with a 650 V rating. Due to the Schottky construction, no recovery is shown at turn-off and ringing patterns are negligible. The minimal capacitive turn-off behavior is independent of temperature. Especially suited for use in PFC applications, this ST SiC diode will boost the performance in hard switching conditions. Its high forward surge capability ensures a good robustness during transient phases. K K A K A NC K A TO-220AC STPSC4H065D DPAK STPSC4H065B-TR




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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