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2SJ484 Fiches technique (PDF) - Hitachi Semiconductor
2SJ484 Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor
No de pièce 2SJ484
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Taille du fichier   43.6 Kbytes
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Fabricant  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
Site Internet  http://www.renesas.com/eng
Logo HITACHI - Hitachi Semiconductor
Description Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ484 Datasheet (PDF)

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2SJ484 Datasheet PDF - Hitachi Semiconductor

No de pièce 2SJ484
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Fabricant  HITACHI [Hitachi Semiconductor]
Site Internet  http://www.renesas.com/eng
Logo HITACHI - Hitachi Semiconductor
Description Silicon P-Channel MOS FET High Speed Power Switching

2SJ484 Fiches technique (HTML) - Hitachi Semiconductor


2SJ484 Détails du produit

Features

• Low on-resistance

   RDS(on) = 0.18 Ω typ. (at VGS = –10V, ID = –1A)

• Low drive current

• High speed switching

• 4V gate drive devices.



 




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À propos de Hitachi Semiconductor

Hitachi Semiconductor est une filiale de Hitachi, Ltd., une entreprise japonaise spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs.
La société a été créée en 1970 et a son siège à Tokyo, au Japon.
Hitachi Semiconductor propose une large gamme de produits, notamment des produits de mémoire, des microcontrôleurs, des circuits intégrés de gestion de l'alimentation et d'autres semi-conducteurs analogiques et numériques.
Les produits de l'entreprise sont utilisés dans diverses applications telles que l'électronique grand public, les systèmes automobiles et les équipements industriels.
Hitachi Semiconductor est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de semi-conducteurs personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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