RJP6003DPM Fiches technique(PDF)

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RJP6003DPM Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

RJP6003DPM Datasheet PDF - Renesas Technology Corp


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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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600V - 20A - IGBT and Diode High Speed Power Switching

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RJP6003DPM Détails du produit

Features
• Low collector to emitter saturation voltage
VCE(sat) = 1.37 V typ. (IC = 40 A, VGE = 15 V, Ta = 25°C)
• Built in fast recovery diode in one package
• Trench gate and thin wafer technology
• High speed switching
tr = 85 ns typ. (at IC = 30 A, VCE = 400 V, VGE = 15 V, Rg = 5 Ω, Ta = 25°C, inductive load)

Numéro de pièce similaire - RJP6003DPM

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	RJP6016JPE-00-J3	90Kb / 7P	600 V - 40 A- N Channel IGBT High Speed Power Switching Sep 19, 2012
	RJP6016JPE	91Kb / 7P	600 V - 40 A- N Channel IGBT High Speed Power Switching
	RJP6065	87Kb / 8P	Silicon N Channel IGBT High Speed Power Switching
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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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