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STGP35N35LZ Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STGP35N35LZ Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STGP35N35LZ
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Taille du fichier   720.09 Kbytes
Page   18 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

STGP35N35LZ Datasheet (PDF)

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STGP35N35LZ Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STGP35N35LZ
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description Automotive-grade 345 V internally clamped IGBT, EAS 450 mJ

STGP35N35LZ Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STGP35N35LZ Détails du produit

Description
This application specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition system.

Features
• Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
• Low threshold voltage
• Low on-voltage drop
• High voltage clamping feature
• Logic level gate charge
• ESD gate-emitter protection
• Gate and gate-emitter integrated resistors

Application
• Automotive ignition




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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