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STW69N65M5 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STW69N65M5 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STW69N65M5
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Taille du fichier   672.41 Kbytes
Page   16 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 650 V, 0.037 Ω typ., 58 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages

STW69N65M5 Datasheet (PDF)

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STW69N65M5 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STW69N65M5
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
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Description N-channel 650 V, 0.037 Ω typ., 58 A MDmesh™ V Power MOSFET in TO-3PF and TO-247 packages

STW69N65M5 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STW69N65M5 Détails du produit

Description
These devices are N-channel MDmesh™ V Power MOSFETs based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on-resistance, which is unmatched among silicon-based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features
■ Worldwide best RDS(on) * area
■ Higher VDSS rating and high dv/dt capability
■ Excellent switching performance
■ 100% avalanche tested

Applications
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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