GP800NSM33 Fiches technique(PDF)

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GP800NSM33 Fiches technique (PDF) - Dynex Semiconductor

GP800NSM33 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor


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Fabricant	DYNEX [Dynex Semiconductor]

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Hi-Reliability Single Switch IGBT Module Preliminary Information

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GP800NSM33 Détails du produit

The Powerline range of high power modules includes dual and single switch configurations covering voltages from 1200V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP800NSM33 is a single switch 3300V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications. This device is optimised for traction drives and other applications requiring high thermal cycling capability or very high reliability.

FEATURES
■ High Thermal Cycling Capability
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated MMC Base with AlN Substrates
■ 3300V Rating
■ 800A Per Module

APPLICATIONS
■ High Reliability Inverters
■ Motor Controllers
■ Traction Drives
■ Resonant Converters

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Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Dynex Semiconductor	GP800NSS33	93Kb / 9P	Single Switch IGBT Module Preliminary Information

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À propos de Dynex Semiconductor

Dynex Semiconductor était une entreprise britannique spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de haute puissance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et a eu son siège à Lincoln, en Angleterre.
Dynex était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de haute puissance et sa capacité à fournir des dispositifs d'alimentation conçus sur mesure pour diverses applications telles que la conversion de puissance, le contrôle moteur et les systèmes d'énergie renouvelable.
En 2015, Dynex a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de systèmes de puissance et de capteurs.
La marque Dynex n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

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