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GP200MHS12 Fiches technique (PDF) - Dynex Semiconductor

GP200MHS12 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor
No de pièce GP200MHS12
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Fabricant  DYNEX [Dynex Semiconductor]
Site Internet  http://www.dynexsemi.com
Logo DYNEX - Dynex Semiconductor
Description Half Bridge IGBT Module

GP200MHS12 Datasheet (PDF)

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GP200MHS12 Datasheet PDF - Dynex Semiconductor

No de pièce GP200MHS12
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Fabricant  DYNEX [Dynex Semiconductor]
Site Internet  http://www.dynexsemi.com
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Description Half Bridge IGBT Module

GP200MHS12 Fiches technique (HTML) - Dynex Semiconductor


GP200MHS12 Détails du produit

The Powerline range of high power modules includes half bridge and single switch configurations covering voltages from 600V to 3300V and currents up to 4800A.
The GP200MHS12 is a half bridge 1200V, n channel enhancement mode, insulated gate bipolar transistor (IGBT) module. The IGBT has a wide reverse bias safe operating area (RBSOA) ensuring reliability in demanding applications.

FEATURES
■ Non Punch Through Silicon
■ Isolated Copper Baseplate
■ Low Inductance Internal Construction

APPLICATIONS
■ High Power Inverters
■ Motor Controllers
■ Induction Heating
■ Resonant Converters




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À propos de Dynex Semiconductor


Dynex Semiconductor était une entreprise britannique spécialisée dans la conception et la fabrication de semi-conducteurs de haute puissance.
L'entreprise a été fondée en 1967 et a eu son siège à Lincoln, en Angleterre.
Dynex était connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de haute puissance et sa capacité à fournir des dispositifs d'alimentation conçus sur mesure pour diverses applications telles que la conversion de puissance, le contrôle moteur et les systèmes d'énergie renouvelable.
En 2015, Dynex a été acquise par Infineon Technologies, l'un des principaux fournisseurs de systèmes de puissance et de capteurs.
La marque Dynex n'est plus utilisée, mais sa technologie et ses produits continuent de faire partie du portefeuille d'Infineon.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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