AFT09S282NR3 Fiches technique(PDF)

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AFT09S282NR3 Fiches technique (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

AFT09S282NR3 Datasheet PDF - Freescale Semiconductor, Inc


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Fabricant	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

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RF Power LDMOS Transistor

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AFT09S282NR3 Détails du produit

This 80 watt RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 720 to 960 MHz.

• Typical Single--Carrier W--CDMA Performance: VDD = 28 Volts, IDQ = 1400 mA, Pout = 80 Watts Avg., Input Signal PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF

Features
• Greater Negative Gate--Source Voltage Range for Improved Class C Operation
• Designed for Digital Predistortion Error Correction Systems
• Optimized for Doherty Applications
• In Tape and Reel. R3 Suffix = 250 Units, 32 mm Tape Width, 13 inch Reel.

Numéro de pièce similaire - AFT09S282NR3

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	AFT09S282NR3	530Kb / 14P	N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 0, 10/2012

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À propos de Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor était une entreprise américaine de semi-conducteurs fondée en 1948.
La société était l'un des principaux fournisseurs de microcontrôleurs, de capteurs et d'autres produits semi-conducteurs pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et de consommation.
Les produits de Freescale étaient connus pour leurs performances élevées, leur faible consommation d'énergie et leur petit facteur de forme.
La société a été acquise par NXP Semiconductors en 2015, et ses produits et technologies continuent d'être développés et vendus sous la marque NXP.

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