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EFC6602R Fiches technique (PDF) - ON Semiconductor
EFC6602R Datasheet PDF - ON Semiconductor
No de pièce EFC6602R
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Taille du fichier   323.53 Kbytes
Page   8 Pages
Fabricant  ONSEMI [ON Semiconductor]
Site Internet  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Description N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9m廓, Dual EFCP

EFC6602R Datasheet (PDF)

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EFC6602R Datasheet PDF - ON Semiconductor

No de pièce EFC6602R
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Fabricant  ONSEMI [ON Semiconductor]
Site Internet  http://www.onsemi.com
Logo ONSEMI - ON Semiconductor
Description N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9m廓, Dual EFCP

EFC6602R Fiches technique (HTML) - ON Semiconductor


EFC6602R Détails du produit

N-Channel Power MOSFET 12V, 18A, 5.9mΩ, Dual EFCP



Features

• 2.5V drive

• Common-drain type

• 2KV ESD HBM

• Protection diode in

• Halogen free compliance




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À propos de ON Semiconductor

ON Semiconductor est une entreprise cotée en bourse qui conçoit, développe et fabrique une large gamme de produits semi-conducteurs pour une variété d'applications, notamment les marchés automobiles, informatiques, biens de consommation, industriels et communications.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Phoenix, en Arizona.
On Semiconductor offre un large portefeuille de gestion de l'énergie, des semi-conducteurs analogiques et discrets, notamment des MOSFET de puissance, des diodes, des redresseurs, des régulateurs de tension, entre autres.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour être économes en énergie, fiables et rentables et sont utilisés dans une variété d'applications, notamment l'électronique portable, les systèmes d'automatisation industrielle, les systèmes d'énergie renouvelable et l'électronique automobile.
On Semiconductor s'engage dans l'innovation et la satisfaction des clients, et s'engage à fournir les meilleures solutions de semi-conducteurs pour répondre aux besoins de nos clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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