BFR193 Fiches technique(PDF)

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BFR193 Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

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NPN Bipolar RF Transistor

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Description	NPN Bipolar RF Transistor

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BFR193 Détails du produit

NPN Bipolar RF Transistor

• For low noise, high-gain amplifiers up to 2 GHz
• For linear broadband amplifiers
• fT = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz
• Pb-free (RoHS compliant) package
• Qualification report according to AEC-Q101 available

Numéro de pièce similaire - BFR193

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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	BFR193	78Kb / 7P	NPN Silicon RF Transistor 2007-03-30
	BFR193	632Kb / 6P	Low Noise Silicon Bipolar RF Transistor 2014-04-04
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La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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