2SC3583 Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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2SC3583 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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No de pièce	2SC3583

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR

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2SC3583 Détails du produit

DESCRIPTION
The 2SC3583 is an NPN epitaxial silicon transistor designed for use in low-noise and small signal amplifiers from VHF band to UHF band. Lownoise figure, high gain, and high current capability achieve a very wide dynamic range and excellent linearity. This is achieved by direct nitride passivated base surface process (DNP process) which is an NEC proprietary new fabrication technique.

FEATURES
• NF 1.2 dB TYP. @f = 1.0 GHz
• Ga 13 dB TYP. @f = 1.0 GHz

Numéro de pièce similaire - 2SC3583

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC3583	103Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Guangdong Kexin Industr...	2SC3583	40Kb / 1P	NPN Silicon Epitaxial Transistor
California Eastern Labs	2SC3583	1Mb / 5P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER
Inchange Semiconductor ...	2SC3583	300Kb / 6P	Low Noise and High Gain
Renesas Technology Corp	2SC3583	321Kb / 10P	SILICON TRANSISTOR

Description similaire - 2SC3583

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	2SC2148	52Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
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	2SC3582	99Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	2SC4536	60Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	2SC5195	63Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	2SC4094	323Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	2SC4095	329Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
	UPA806T	209Kb / 8P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Leshan Radio Company	L2SC3357	309Kb / 2P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
Renesas Technology Corp	2SC2148	180Kb / 10P	MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIER NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR August 1996

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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