NESG210719 Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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NESG210719 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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NESG210719 Détails du produit

FEATURES
• The NESG210719 is an ideal choice for OSC, low noise, high-gain amplification
• High breakdown voltage technology for SiGe Tr.
• 3-pin ultra super minimold (19, 1608 PKG)

Numéro de pièce similaire - NESG210719

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NEC	NESG210719	114Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NESG210719	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
California Eastern Labs	NESG210719-A	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)
NEC	NESG210719-T1	114Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NESG210719-T1	1Mb / 9P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN Amplification 3-Pin Ultra Super Minimold (19, 1608 PKG)

Description similaire - NESG210719

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	NESG3032M14	168Kb / 15P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
	NESG3033M14	176Kb / 16P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain
	2SC5761	305Kb / 16P	NPN SiGe RF TRANSISTOR FOR LOW NOISE ⋅ HIGH-GAIN AMPLIFICATION May 2003
	NESG2031M05	158Kb / 14P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
	NESG2021M05	159Kb / 14P	NPN SiGe RF Transistor for Low Noise, High-Gain Amplification
California Eastern Labs	NESG2046M33	292Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
California Eastern Labs	NESG204619	320Kb / 4P	NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
NEC	NESG2046M33	118Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH -GAIN AMPLIFICATION
	NESG210719	114Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION
	NESG204619	116Kb / 3P	NECs NPN SiGe TRANSISTOR FOR LOW NOISE, HIGH-GAIN AMPLIFICATION

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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