RJK03P7DPA Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

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MOS2 30 V, 30 A, 5.3 m max. High Speed Power Switching

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Numéro de pièce similaire - RJK03P7DPA

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJK03P0DPA	400Kb / 11P	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03P0DPA-00-J5A	400Kb / 11P	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03P6DPA	241Kb / 11P	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03P6DPA-00-J5A	241Kb / 11P	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK03P9DPA	335Kb / 11P	Built in SBD Dual N-channel Power MOS FET High Speed Power Switching

Description similaire - RJK03P7DPA

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	PBSS303PZ	172Kb / 14P	30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02-20 November 2009
SeCoS Halbleitertechnol...	SSG9435BDY	616Kb / 4P	-5.3 A, -30 V, RDS(ON) 36 m P-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
Renesas Technology Corp	RJK6018DPK	85Kb / 7P	600 V - 30 A - MOS FET High Speed Power Switching
	RJP60F4DPM	85Kb / 7P	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJK1206JPD	96Kb / 7P	120 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJK0631JPR	99Kb / 7P	60 V - 30 A - N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
	RJH60F4DPQ-A0	88Kb / 8P	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching
	RJK6018DPK	85Kb / 7P	600 V - 30 A - MOS FET High Speed Power Switching
	RJP60F4DPM	85Kb / 7P	600 V - 30 A - IGBT High Speed Power Switching
Nexperia B.V. All right...	PBSS303PZ	285Kb / 15P	30 V, 5.3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 - 20 November 2009

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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