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STF11N52K3 Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
STF11N52K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce STF11N52K3
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Taille du fichier   1160.73 Kbytes
Page   20 Pages
Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

STF11N52K3 Datasheet (PDF)

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STF11N52K3 Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce STF11N52K3
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 525 V, 0.41 ohm, 10 A SuperMESH3 Power MOSFET

STF11N52K3 Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


STF11N52K3 Détails du produit

Description
These devices are N-channel Power MOSFETs made using the SuperMESH3™ technology that is obtained via improvements applied to STMicroelectronics’ SuperMESH™ technology combined with a new optimized vertical structure. The resulting transistor has an extremely low on resistance, superior dynamic performance and high avalanche capability, making it especially suitable for the most demanding applications.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Extremely high dv/dt capability
■ Gate charge minimized
■ Very low intrinsic capacitance
■ Improved diode reverse recovery characteristics
■ Zener-protected

Applications
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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