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ICS8533I-01 Fiches technique (PDF) - Integrated Device Technology
ICS8533I-01 Datasheet PDF - Integrated Device Technology
No de pièce ICS8533I-01
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Taille du fichier   217.04 Kbytes
Page   17 Pages
Fabricant  IDT [Integrated Device Technology]
Site Internet  http://www.idt.com
Logo IDT - Integrated Device Technology
Description DIFFERENTIAL-TO-3.3V LVPECL FANOUT BUFFER 3.3V operating supply

ICS8533I-01 Datasheet (PDF)

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ICS8533I-01 Datasheet PDF - Integrated Device Technology

No de pièce ICS8533I-01
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Taille du fichier   217.04 Kbytes
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Fabricant  IDT [Integrated Device Technology]
Site Internet  http://www.idt.com
Logo IDT - Integrated Device Technology
Description DIFFERENTIAL-TO-3.3V LVPECL FANOUT BUFFER 3.3V operating supply

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À propos de Integrated Device Technology

Integrated Device Technology (IDT) est une entreprise américaine spécialisée dans la conception et la fabrication de solutions de semi-conducteurs de signaux mixtes.
La société a été fondée en 1980 et a son siège à San Jose, en Californie.
IDT fournit une large gamme de produits, notamment des solutions d'horloge et de synchronisation, une interface de mémoire et des produits logiques numériques.
Les produits de l'entreprise sont utilisés dans diverses applications telles que l'informatique, les télécommunications et l'automatisation industrielle.
IDT est connu pour son expertise dans la technologie des semi-conducteurs de signaux mixtes et sa capacité à fournir des produits de haute qualité et fiables à ses clients.
La société possède des opérations et des installations dans divers pays à travers le monde et travaille en étroite collaboration avec ses clients pour fournir des solutions de semi-conducteurs personnalisées qui répondent à leurs exigences et besoins spécifiques.
En plus de son entreprise principale, IDT fournit également des solutions pour les marchés de l'automobile, du centre de données et de l'Internet des objets (IoT).

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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