MLA-01122B-C4 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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MLA-01122B-C4 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

Site Internet	http://www.ixys.com

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1 - 12 GHz Packaged Low-Noise MMIC Amplifier

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Fabricant	IXYS [IXYS Corporation]

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Description	1 - 12 GHz Packaged Low-Noise MMIC Amplifier

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Numéro de pièce similaire - MLA-01122B-C4

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Littelfuse	MLA	897Kb / 9P	The MLA Series family of transient voltage surge suppression devices is based on the Littelfuse
Tyco Electronics	MLAN	265Kb / 4P	GP/ML/TR series 10 Amp Control Relay
	MLAQ	265Kb / 4P	GP/ML/TR series 10 Amp Control Relay
	MLAR	265Kb / 4P	GP/ML/TR series 10 Amp Control Relay
Taiyo Yuden (U.S.A.), I...	MLARE021SCG060BWRA01	388Kb / 3P	High frequency/Low loss Multilayer Ceramic Capacitors for Medical Devices classified as GHTF Classes A or B (Japan Classes I or II)

Description similaire - MLA-01122B-C4

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Agilent(Hewlett-Packard...	INA-30311	75Kb / 6P	1 GHz Low Noise Silicon MMIC Amplifier
Agilent(Hewlett-Packard...	INA-50311	64Kb / 5P	1 GHz Low Noise Silicon MMIC Amplifier
Tyco Electronics	MAAM71200-H1	96Kb / 2P	Low Noise GaAs MMIC Amplifier 7.5 - 12 GHz
Mimix Broadband	XL1007-QT	425Kb / 7P	3.5-8.0 GHz GaAs MMIC Packaged Low Noise Amplifier
Hittite Microwave Corpo...	HMC-ALH444	129Kb / 3P	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 1 - 12 GHz
Mimix Broadband	XL1007-QT	454Kb / 7P	3.5-8.0 GHz GaAs MMIC Packaged Low Noise Amplifier
Hittite Microwave Corpo...	HMC772LC4	235Kb / 6P	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2 - 12 GHz
	HMC772LC4	936Kb / 6P	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 2 - 12 GHz
	HMC-ALH444	197Kb / 6P	GaAs HEMT MMIC LOW NOISE AMPLIFIER, 1 - 12 GHz
Analog Devices	ADL8121	1Mb / 22P	GaAs, pHEMT, MMIC, Low Noise Amplifier, 0.025 GHz to 12 GHz Rev. 0

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

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