04023J22R0BBS Fiches technique(PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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Fabricant	FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]

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Description	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)

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04023J22R0BBS Détails du produit

Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
High Efficiency/Linearity Amplifier

The MMA25312B is a high efficiency InGaP HBT amplifier designed for use in 2400 MHz ISM applications, WLAN (802.11g), WiMAX (802.16e) and wireless broadband mesh networks. It is suitable for applications with frequencies from 2300 to 2700 MHz using simple external matching components with a 3 to 5 volt supply.

Features
• Frequency: 2300-2700 MHz
• P1dB: 31 dBm @ 2500 MHz
• Power Gain: 26 dB @ 2500 MHz
• OIP3: 40 dBm @ 2500 MHz
• Active Bias Control (On-chip)
• Single 3 to 5 Volt Supply
• Single-ended Power Detector
• Cost-effective QFN Surface Mount Package
• In Tape and Reel. T1 Suffix = 1,000 Units, 12 mm Tape Width, 7 inch Reel.

Numéro de pièce similaire - 04023J22R0BBS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	04023J22R0BBS	342Kb / 10P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 9/2014
NXP Semiconductors	04023J22R0BBS	640Kb / 19P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 5/2014

Description similaire - 04023J22R0BBS

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Freescale Semiconductor...	MMG3001NT1	297Kb / 15P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3014NT1	356Kb / 17P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
	MMG3003NT1	410Kb / 18P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT)
NXP Semiconductors	MMG3005NT1	456Kb / 20P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3006NT1	478Kb / 24P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 6, 12/2017
	MMG3012NT1	423Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 8, 9/2014
	MMG3H21NT1	367Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 3, 9/2014
	MMG3001NT1	388Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 9, 10/2014
	MMG3015NT1	389Kb / 14P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 4, 9/2014
	MMZ25332B	640Kb / 19P	Heterojunction Bipolar Transistor Technology (InGaP HBT) Rev. 2, 5/2014

À propos de Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor était une entreprise américaine de semi-conducteurs fondée en 1948.
La société était l'un des principaux fournisseurs de microcontrôleurs, de capteurs et d'autres produits semi-conducteurs pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et de consommation.
Les produits de Freescale étaient connus pour leurs performances élevées, leur faible consommation d'énergie et leur petit facteur de forme.
La société a été acquise par NXP Semiconductors en 2015, et ses produits et technologies continuent d'être développés et vendus sous la marque NXP.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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