AFT09MS031GNR1 Fiches technique(PDF)

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AFT09MS031GNR1 Fiches technique (PDF) - Freescale Semiconductor, Inc

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RF Power LDMOS Transistors

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Numéro de pièce similaire - AFT09MS031GNR1

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	AFT09MS007N	1Mb / 28P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 4/2014
	AFT09MS007NT1	1Mb / 28P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 4/2014
	AFT09MS015N	861Kb / 18P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 7/2014
	AFT09MS015NT1	861Kb / 18P	High Ruggedness N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Rev. 1, 7/2014

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	AFV09P350-04N	505Kb / 20P	RF Power LDMOS Transistors Rev. 0, 1/2014
	AFV10700H	709Kb / 19P	RF Power LDMOS Transistors Rev. 1, 01/2018
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À propos de Freescale Semiconductor, Inc

Freescale Semiconductor était une entreprise américaine de semi-conducteurs fondée en 1948.
La société était l'un des principaux fournisseurs de microcontrôleurs, de capteurs et d'autres produits semi-conducteurs pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et de consommation.
Les produits de Freescale étaient connus pour leurs performances élevées, leur faible consommation d'énergie et leur petit facteur de forme.
La société a été acquise par NXP Semiconductors en 2015, et ses produits et technologies continuent d'être développés et vendus sous la marque NXP.

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