NX6309GH Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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NX6309GH Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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No de pièce	NX6309GH

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Site Internet	http://www.renesas.com

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1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

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Fabricant	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Site Internet	http://www.renesas.com

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Description	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

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NX6309GH Détails du produit

DESCRIPTION
The NX6309GH is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.

FEATURES
• Optical output power Po = 10.0 mW
• Low threshold current lth = 10 mA
• Differential efficiency ηd = 0.40 W/A
• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C
• InGaAs monitor PIN-PD
• CAN package φ 5.6 mm
• Focal point 10 mm

APPLICATION
• 1.25 Gb/s FTTH PON (Fiber To The Home Passive Optical Network)

Numéro de pièce similaire - NX6309GH

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
California Eastern Labs	NX6309GH	191Kb / 7P	1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
California Eastern Labs	NX6309GH-AZ	191Kb / 7P	1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Distributed Feed-Back (DFB) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD.
Renesas Technology Corp	NX6309GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

Description similaire - NX6309GH

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
California Eastern Labs	NX5315EH	283Kb / 7P	1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
Renesas Technology Corp	NX6410GH	178Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6411GH	177Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6308GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
California Eastern Labs	NX5323EH	173Kb / 7P	1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE
Renesas Technology Corp	NX6410GH	170Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6411GH	170Kb / 8P	LASER DIODE 1 490 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 2.5 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6308GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	NX6309GH	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION
	PL10692EJ03V0DS	221Kb / 9P	1 310 nm InGaAsP MQW-DFB LASER DIODE FOR 1.25 Gb/s FTTH PON APPLICATION

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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