RJK0214DPA Fiches technique(PDF) - Renesas Technology Corp

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Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

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RJK0214DPA Détails du produit

Features
• Low on-resistance
• Capable of 4.5 V gate drive
• High density mounting
• Pb-free
• Halogen-free

Applications
DC-DC conversion for PC and Server.

Numéro de pièce similaire - RJK0214DPA

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJK0210DPA	71Kb / 4P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA-00-J53	71Kb / 4P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA-00-J5A	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching
	RJK0210DPA	133Kb / 7P	Silicon N Channel Power MOS FET Power Switching

Description similaire - RJK0214DPA

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	RJK0383DPA	114Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0389DPA	113Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2285WP	130Kb / 10P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2210R	116Kb / 12P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2126RP	263Kb / 17P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0389DPA	358Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	HAT2285WP	115Kb / 10P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0215DPA	271Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0230DPA	221Kb / 11P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching
	RJK0223DNS	81Kb / 5P	Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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