NESG340034 Fiches technique(PDF)

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NESG340034 Fiches technique (PDF) - Renesas Technology Corp

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NPN Silicon Germanium RF Transistor

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NESG340034 Détails du produit

DESCRIPTION
The NESG340034 is an ideal choice for low noise, low distortion amplification.

FEATURES
• NF = 0.65 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 15 mA, f = 1 GHz
• Po (1 dB) = 24 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• OIP3 = 35.5 dBm TYP. @ VCE = 5 V, IC (set) = 40 mA, f = 1 GHz
• Maximum stable power gain: MSG =12.0 dB TYP. @ VCE = 5 V, IC = 40 mA, f = 1 GHz
• SiGe HBT technology (UHS3) : fT = 10 GHz
• This product is improvement of ESD
• 3-pin power minimold (34 PKG)

APPLICATIONS
• Suitable for up to 1 GHz applications.
e.g. LNA (Low Noise Amplifier) or booster amplifier for Digital-TV.

Numéro de pièce similaire - NESG340034

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Renesas Technology Corp	NESG340034-A	137Kb / 2P	RF & Microwave device

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À propos de Renesas Technology Corp

Renesas Technology Corp est une société de semi-conducteurs japonaise qui fournit une large gamme de microcontrôleurs, de systèmes sur puce et de dispositifs analogiques et d'alimentation pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.
La société a été formée en 2010 grâce à la fusion de NEC Electronics Corporation et de la Renesas Technology Corporation.
Renesas est l'un des plus grands fournisseurs de microcontrôleurs au monde et est connu pour son expertise dans le développement de technologies avancées dans des domaines tels que l'Internet des objets (IoT), l'intelligence artificielle (IA) et l'électronique automobile.
La société a des opérations dans plus de 20 pays et ses produits sont utilisés dans un large éventail d'applications.

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