2SC3102 Fiches technique(PDF) - New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

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RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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Description	RF POWER TRANSISTOR NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE

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2SC3102 Détails du produit

DESCRIPTION
2SC3102 is a silicon NPN epitaxial planar type transistor specifically designed for high power amplifiers applications in UHF band.

APPLICATIONS
For output stage of 50W power amplifiers in UHF band.

Numéro de pièce similaire - 2SC3102

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Mitsubishi Electric Sem...	2SC3102	159Kb / 3P	NPN EPITAXIAL PLANAR TYPE (RF POWER TRANSISTOR)

Description similaire - 2SC3102

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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