TSHF5210 Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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TSHF5210 Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	TSHF5210

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

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Description	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero

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Numéro de pièce similaire - TSHF5210

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSHF5210	117Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode in T-13/4 Package 30-Oct-06
	TSHF5210	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, RoHS Compliant, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 04-Sep-08
	TSHF5210	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSHF5210	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSHF5210	108Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11

Description similaire - TSHF5210

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Vishay Siliconix	TSHF5410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSHF6210	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	TSHF6410	111Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 25-Jun-09
	VSMF3710	149Kb / 7P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 03-Nov-09
	TSHF5410	110Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	VSMF3710	132Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 02-Nov-15
	TSSF4500	96Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	TSHF5210	109Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 24-Aug-11
	VSMF3710	143Kb / 6P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 15-Jul-2020
	TSHF6410	113Kb / 5P	High Speed Infrared Emitting Diode, 890 nm, GaAlAs Double Hetero 23-Aug-11

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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