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26NM60N Fiches technique (PDF) - STMicroelectronics
26NM60N Datasheet PDF - STMicroelectronics
No de pièce 26NM60N
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Taille du fichier   697.79 Kbytes
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 0.160 Ω, 19 A PowerFLAT™8x8 HV ultra low gate charge MDmesh™II Power MOSFET

26NM60N Datasheet (PDF)

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26NM60N Datasheet PDF - STMicroelectronics

No de pièce 26NM60N
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Fabricant  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Site Internet  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Description N-channel 600 V, 0.160 Ω, 19 A PowerFLAT™8x8 HV ultra low gate charge MDmesh™II Power MOSFET

26NM60N Fiches technique (HTML) - STMicroelectronics


26NM60N Détails du produit

Description
This device is an N-channel MDmesh™ V Power MOSFET based on an innovative proprietary vertical process technology, which is combined with STMicroelectronics’ well-known PowerMESH™ horizontal layout structure. The resulting product has extremely low on resistance, which is unmatched among silicon based Power MOSFETs, making it especially suitable for applications which require superior power density and outstanding efficiency.

Features
■ 100% avalanche tested
■ Low input capacitance and gate charge
■ Low gate input resistance

Applications
■ Switching applications




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À propos de STMicroelectronics

Stmicroelectronics est un fabricant multinational d'électronique et de semi-conducteurs basé à Genève, en Suisse.

La société propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des capteurs, des amplificateurs de puissance et des circuits intégrés pour diverses applications sur les marchés automobiles, industriels et consommateurs.

Fondée en 1987, Stmicroelectronics a des opérations dans plus de 100 pays et est l'une des plus grandes sociétés de semi-conducteurs au monde.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.




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