GA200SA60SP Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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GA200SA60SP Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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No de pièce	GA200SA60SP

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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No de pièce	GA200SA60SP

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Fabricant	VISHAY [Vishay Siliconix]

Site Internet	http://www.vishay.com

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Description	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A

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GA200SA60SP Détails du produit

Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCERevision: 22-Jul-10
(on), 342 A

FEATURES

• Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low speed up to 5 kHz

• Lowest conduction losses available

• Fully isolated package (2500 VAC)

• Very low internal inductance (5 nH typical)

• Industry standard outline

• UL approved file E78996

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

• Designed and qualified for industrial level

BENEFITS

• Designed for increased operating efficiency in power conversion: UPS, SMPS, TIG welding, induction heating

• Easy to assemble and parallel

• Direct mounting to heatsink

• Plug-in compatible with other SOT-227 packages

Numéro de pièce similaire - GA200SA60SP

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	GA200SA60SP	322Kb / 9P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
Vishay Siliconix	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10

Description similaire - GA200SA60SP

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
International Rectifier	IRG4BC30K	137Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.21V, @Vge=15V, Ic=16A)
	IRG4BC30U	167Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.95V, @Vge=15V, Ic=12A)
	IRG4PC30F	145Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.59V, @Vge=15V, Ic=17A)
	IRG4PC40W	116Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A)
	IRGBF20F	255Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vce=900V, @Vge=15V, Ic=5.3A)
	IRG4BH20K-LPBF	298Kb / 8P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR ( VCES=1200V , VCE(on)typ.=3.17V , @VGE=15V.Ic=5.0A )
Vishay Siliconix	VS-GA250SA60S	288Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-May-16
	GA200SA60SP	181Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 342 A 22-Jul-10
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021
	VS-GT250SA60S	196Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor Ultralow VCE(on), 250 A 20-Jul-2021

À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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