BYG10D Fiches technique(PDF) - Vishay Siliconix

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BYG10D Fiches technique (PDF) - Vishay Siliconix

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Standard Avalanche SMD Rectifier

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BYG10D Détails du produit

Standard Avalanche SMD Rectifier

FEATURES
• Low profile package
• Ideal for automated placement
• Controlled avalanche characteristics
• Glass passivated junction
• Low reverse current
• High surge current capability
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C
• Solder dip 260 °C, 40 s
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC

TYPICAL APPLICATIONS
For use in generell purpose rectification of power supplies, inverters, converters and freewheeling diodes for consumer, automotive and telecommunication.

Numéro de pièce similaire - BYG10D

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
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Diotec Semiconductor	BYG10D	158Kb / 2P	Standard Avalanche SMD Rectifier Diodes

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À propos de Vishay Siliconix

Vishay Siliconix est une filiale de Vishay Intertechnology, un fabricant mondial de composants électroniques passifs.
Vishay Siliconix est spécialisée dans la conception, la fabrication et la commercialisation de MOSFET de puissance, IGBTS et autres semi-conducteurs de puissance.
La société a été fondée en 1962 et a son siège à Santa Clara, en Californie.
Vishay Siliconix fournit des solutions d'alimentation pour une variété d'applications, notamment des systèmes d'énergie renouvelable, des équipements industriels, l'informatique et les télécommunications et l'électronique automobile.
Les produits de l'entreprise sont conçus pour une grande efficacité, une faible consommation d'énergie et une forte fiabilité, et sont fabriqués dans des installations de pointe à l'aide de processus de fabrication avancés.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Vishay Siliconix s'engage à fournir à ses clients les meilleures solutions de gestion de l'alimentation pour répondre à leurs besoins.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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