PTFB212503EL Fiches technique(PDF) - Infineon Technologies AG

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PTFB212503EL Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

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Fabricant	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Site Internet	http://www.infineon.com

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Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz

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Fabricant	INFINEON [Infineon Technologies AG]

Site Internet	http://www.infineon.com

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Description	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110-2170 MHz

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Numéro de pièce similaire - PTFB212503EL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	PTFB212503EL	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15
	PTFB212503ELV1R0	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15
	PTFB212503ELV1R0XTMA1	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15
	PTFB212503ELV1R250	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15
	PTFB212503ELV1R250XTMA1	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15

Description similaire - PTFB212503EL

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Infineon Technologies A...	PTFA212401E	495Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 04, 2009-10-05
	PTFA212001E	402Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 200 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 05.1, 2009-02-24
	PTFA210701E	387Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 70 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18
	PTFB211501E	362Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 02, 2009-11-19
	PTFA211801E	275Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 04, 2007-11-15
	PTFA210601E	260Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 60 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 03, 2007-11-19
	PTFB211503EL	734Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 150 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 04, 2011-03-07
	PTFB211803EL	477Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 180 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 05, 2010-11-10
	PTFB212503EFL	830Kb / 14P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FETs 240 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 07.1, 2016-06-15
Cree, Inc	PTFB212503FL	553Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 240 W, 2110 ??2170 MHz

À propos de Infineon Technologies AG

Infineon Technologies est l'un des principaux fabricants mondiaux de semi-conducteurs qui se spécialisent dans la fourniture de solutions de gestion, de sécurité et de contrôle de l'énergie pour une variété d'industries telles que les systèmes automobiles, industriels et de communication.
La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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