BF998R Fiches technique(PDF)

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BF998R Fiches technique (PDF) - Infineon Technologies AG

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Silicon N_Channel MOSFET Tetrode

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Numéro de pièce similaire - BF998R

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
NXP Semiconductors	BF998R	114Kb / 12P	Silicon N-channel dual-gate MOS-FETs 1996 Aug 01
Vishay Siliconix	BF998R	155Kb / 9P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 23-Jun-99
Siemens Semiconductor G...	BF998R	33Kb / 2P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode (Short-channel transistor with high S/C quality factor)
Infineon Technologies A...	BF998R	249Kb / 6P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Feb-13-2004
Vishay Siliconix	BF998R	318Kb / 10P	N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode 05-Sep-08

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	BF2030	277Kb / 6P	Silicon N-Channel MOSFET Tetrode Apr-23-2004
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La société a été fondée en 1999 et a son siège à Neubiberg, en Allemagne.
Infineon propose une large gamme de produits, notamment des microcontrôleurs, des semi-conducteurs de puissance, des capteurs et d'autres circuits intégrés.
La société a une forte présence sur le marché mondial, avec des opérations et des installations dans divers pays du monde.

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