IXGH17N100 Fiches technique(PDF) - IXYS Corporation

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IXGH17N100 Fiches technique (PDF) - IXYS Corporation

IXGH17N100 Datasheet PDF - IXYS Corporation


No de pièce	IXGH17N100

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Low V IGBT High speed IGBT

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Description	Low V IGBT High speed IGBT

IXGH17N100 Fiches technique (HTML) - IXYS Corporation

IXGH17N100 Datasheet HTML 1Page - IXYS Corporation

IXGH17N100 Datasheet HTML 2Page - IXYS Corporation

IXGH17N100 Détails du produit

Features
● International standard packages
● 2nd generation HDMOSTM process
● Low VCE(sat)
   - for low on-state conduction losses
● High current handling capability
● MOS Gate turn-on
   - drive simplicity
● Voltage rating guaranteed at high
   temperature (125°C)

Applications
● AC motor speed control
● DC servo and robot drives
● DC choppers
● Uninterruptible power supplies (UPS)
● Switch-mode and resonant-mode
   power supplies

Advantages
● Easy to mount with 1 screw (TO-247)
   (isolated mounting screw hole)
● High power density

Numéro de pièce similaire - IXGH17N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXGH17N100	64Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGH17N100A	64Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGH17N100AU1	113Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode
	IXGH17N100U1	113Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT with Diode High speed IGBT with Diode

Description similaire - IXGH17N100

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
IXYS Corporation	IXGH10N60A	56Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGH10N100	46Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGM17N100	64Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGM20N60	64Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGM30N60	64Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXGM40N60	106Kb / 4P	Low VCE(sat) IGBT, High speed IGBT
	IXSM25N100	102Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
	IXSM30N60	241Kb / 2P	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
	IXSM40N60	91Kb / 6P	Low VCE(sat) IGBT, High Speed IGBT
	IXGH25N100	110Kb / 4P	Low V High speed IGBT

À propos de IXYS Corporation

Ixys Corporation est une entreprise technologique spécialisée dans la conception, la fabrication et la vente de semi-conducteurs de puissance et de circuits intégrés (CI). La société a été fondée en 1983 et a son siège à Milpitas, en Californie. Ixys a une présence mondiale, avec des opérations et des clients dans plus de 60 pays à travers le monde.

IXYS fournit une large gamme de produits et de solutions, notamment des MOSFET de puissance, des transistors bipolaires de puissance, des thyristors, des diodes et des CI pour les applications de gestion et de contrôle de l'alimentation. Les produits de l'entreprise sont utilisés dans une variété d'applications, notamment les énergies renouvelables, l'industrie, l'automobile et l'électronique grand public.

Ixys est connu pour son expertise dans la technologie de semi-conducteurs de puissance et sa capacité à fournir des solutions hautes performances et rentables à ses clients. L'entreprise s'engage dans l'innovation et la recherche et le développement et participe activement à l'élaboration de nouvelles technologies et solutions pour le marché des semi-conducteurs de puissance. IXYS est un leader reconnu sur le marché des semi-conducteurs de puissance et continue de fournir des produits et services de haute qualité à ses clients.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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