ZXTN07012EFF Fiches technique(PDF) - Diodes Incorporated

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ZXTN07012EFF Fiches technique (PDF) - Diodes Incorporated

ZXTN07012EFF Datasheet PDF - Diodes Incorporated


No de pièce	ZXTN07012EFF

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Fabricant	DIODES [Diodes Incorporated]

Site Internet	http://www.diodes.com

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12V, SOT23F, NPN high gain power transistor

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Fabricant	DIODES [Diodes Incorporated]

Site Internet	http://www.diodes.com

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Description	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor

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ZXTN07012EFF Détails du produit

Description
This low voltage NPN transistor has been designed for applications requiring high gain and very low saturation voltage. The SOT23F package is pin compatible with the industry standard SOT23 footprint but offers lower profile and higher dissipation for applications where power density is of utmost importance.

Features
• BVCEO > 12V
• BVECO > 3V
• IC = 4.5A Continuous Collector Current
• Low Saturation Voltage VCE(sat) < 70mV @ 1A
• RCE(sat) = 43mΩ
• 1.5W Power Dissipation
• Complementary PNP Type: ZXTP07012EFF
• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Note 1&2)
• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications
• LED Driver
• Boost Converters
• Logic Interface
• Motor Drive

Numéro de pièce similaire - ZXTN07012EFF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Zetex Semiconductors	ZXTN07012EFF	446Kb / 6P	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor
Diodes Incorporated	ZXTN07012EFF	372Kb / 7P	12V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR Rev 2
Zetex Semiconductors	ZXTN07012EFFTA	446Kb / 6P	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor
Diodes Incorporated	ZXTN07012EFFTA	372Kb / 7P	12V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR Rev 2
Diodes Incorporated	ZXTN07012EFF	372Kb / 7P	12V NPN HIGH GAIN POWER TRANSISTOR Rev 2

Description similaire - ZXTN07012EFF

Fabricant	No de pièce	Fiches technique	Description
Zetex Semiconductors	ZXTN07012EFF	446Kb / 6P	12V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN07045EFF	452Kb / 8P	45V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN19020CFF	454Kb / 8P	20V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN19020DFF	462Kb / 8P	20V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN19060CFF	513Kb / 6P	60V, SOT23F, NPN high gain power transistor
	ZXTN19100CFF	455Kb / 8P	100V, SOT23F, NPN high gain power transistor
Diodes Incorporated	ZXTN07045EFF	323Kb / 8P	45V, SOT23F, NPN high gain power transistor JUNE 2007
	ZXTN19020CFF	467Kb / 8P	20V, SOT23F, NPN high gain power transistor FEBRUARY 2007
	ZXTN19020DFF	459Kb / 8P	20V, SOT23F, NPN high gain power transistor FEBRUARY 2007
	ZXTN19100CFF	467Kb / 8P	100V, SOT23F, NPN high gain power transistor JANUARY 2007

À propos de Diodes Incorporated

Diodes Incorporated est une société cotée en bourse qui conçoit, fabrique et fournit un large éventail de semi-conducteurs discrets, analogiques et de signaux mixtes et de solutions de puissance complètes.
L'entreprise a été fondée en 1964 et a son siège à Plano, au Texas.
Il fonctionne à l'échelle mondiale avec des centres de vente, de soutien et de conception en Amérique du Nord, en Europe et en Asie.
Diodes Incorporated dessert une variété d'industries, notamment l'automobile, les communications, l'informatique, le consommateur et l'industrie.
La société propose une large gamme de produits, notamment des diodes, des redresseurs, des transistors, des régulateurs de tension, des MOSFET, des conducteurs LED et des dispositifs de protection, entre autres.
La mission de l'entreprise est de fournir aux clients des produits de haute qualité et de haute fiabilité et un excellent service client.
En mettant l'accent sur l'innovation et la satisfaction des clients, Diodes Incorporated s'engage à devenir l'un des principaux fournisseurs de solutions de gestion de l'énergie.

*Ces informations sont fournies à titre informatif uniquement, nous ne serons pas responsables des pertes ou dommages causés par les informations ci-dessus.

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